Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
Descrizione
Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
Il Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND appartiene alla categoria Solid state drive ed è accompagnato da una scheda tecnica dettagliata.
Caratteristiche principali
- Capacità SSD: 2 TB
- Dimensione SSD: M.2
- Interfaccia: PCI Express 4.0
- NVMe: Sì
- Tipo memoria: V-NAND
- Componente per: PC
Per il dettaglio completo consulta la sezione Specifiche tecniche.
SKU: MZ-V9V2T0BW
EAN: 8806099020705
Specifiche Icecat. Dati tecnici forniti così come sono e soggetti a possibili aggiornamenti.
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| Capacità SSD | 2 TB |
|---|---|
| Dimensione SSD | M.2 |
| Interfaccia | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Sì |
| Tipo memoria | V-NAND |
| Componente per | PC |
| criptaggio hardware | Sì |
| Versione di NVMe | 2.0 |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES, TCG Opal 2.0 |
| Dimensioni dell'unità SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocità di lettura | 7250 MB/s |
| Velocità di scrittura | 6450 MB/s |
| Lettura casuale (4KB) | 850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Scrittura casuale (4KB) | 1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Linee dati dell'interfaccia PCI Express | x4 |
| Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) | Sì |
| Revisione PCI Express CEM | 4.0 |
| Supporto S.M.A.R.T. | Sì |
| Supporto TRIM | Sì |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
| Tensione di esercizio | 3,3 V |
| Consumo di energia (in lettura) | 4,3 W |
| Consumo di energia (in scrittura) | 3,8 W |
| Consumo energetico (inattivo) | 0,055 W |
| Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) | 3 mW |
| Larghezza | 80,2 mm |
| Profondità | 2,38 mm |
| Altezza | 22,1 mm |
| Tipo di imballo | Scatola |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 – 70 °C |
| Shock di funzionamento | 1500 G |
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